АлН АлГаН

Приложение

Модель

Продукт

Параметр

Выступая в качестве основного основного материала для светодиодов глубокого-ультрафиолетового излучения (DUV),

силовые устройства, радиочастотные устройства и другие передовые оптоэлектронные устройства.

АлН Вафля

Размер: 2 дюйма (диаметр 50,8 мм ± 0,1 мм)
Подложка: сапфир с одно-/двух-полировкой (Al₂O₃).
Диапазон толщины: от 0,5 мкм до 5 мкм.
Ориентация кристалла: плоскость C- (0001)
Качество кристаллов: Требования к рентгеновской дифракции рентгеновских лучей (XRD) на половине высоты (FWHM), соответствующие диапазонам толщины AlN:
Толщина 0.5 - 1 мкм: (002) плоскость FWHM Меньше или равна 120 угловых секунд; (102) Плоскость FWHM Меньше или равна 950 угловых секунд.
Толщина 1 - 2 мкм: (002) плоскость FWHM Меньше или равна 120 угловых секунд; (102) Плоскость FWHM Меньше или равна 600 угловых секунд.
Толщина 2 - 3 мкм: (002) плоскость FWHM Меньше или равна 150 угловых секунд; (102) Плоскость FWHM Меньше или равна 500 угловых секунд.
Толщина 3 - 4 мкм: (002) плоскость FWHM Меньше или равна 180 угловых секунд; (102) Плоскость FWHM Меньше или равна 400 угловых секунд.
Толщина 4 - 5 мкм: (002) плоскость FWHM Меньше или равна 180 угловых секунд; (102) Плоскость FWHM Меньше или равна 320 угловым секундам.
Краевые сколы/трещины: Менее 2 мм.
Шероховатость поверхности: Ra < 1,5 нм на площади 10 × 10 мкм (измерено с помощью АСМ).
Упаковка: Вакуумная-герметизация в чистых помещениях класса 10 000. Упакованы в кассеты по 25-штук или однопластинчатые контейнеры.

AlN: сверх-гладкая поверхность

• Низкая плотность дефектов

• Вакуумная-герметизация

АлГаН пластина

Размер: 2 дюйма (φ50,8 мм ±0,1 мм)
Подложка: сапфир с одно-/двух-полировкой (Al₂O₃).
Диапазон толщины: от 5 до 3000 нм.
Ориентация кристалла: плоскость C- (0001)
Энергия запрещенной зоны: настраивается в соответствии с требованиями заказчика (путем настройки состава алюминия).
Качество кристаллов: Справочная спецификация (для AlGaN размером 1,5 мкм с 60% Al):
(002) Рентгенограмма в плоскости на полувысоте Меньше или равна 350 угловых секунд
(102) Рентгенограмма в плоскости на полувысоте Меньше или равна 600 угловых секунд
Примечание. Конкретное качество кристаллов (значения XRD на полувысоте) точно подбирается в соответствии с фактическим составом Al и толщиной слоя.
Краевые сколы/трещины: Менее 2 мм.
Упаковка: Вакуумная-герметизация в чистых помещениях класса 10 000. Упакованы в кассеты по 25-штук или однопластинчатые контейнеры.

AlGaN: настраиваемая запрещенная зона

• Толщина 5 нм–3 мкм

• Пользовательские характеристики XRD